放弃美国先进DRAM厂计划，三星转投封装工厂建设影响全球半导体产业

[三星曾考虑在美国建设先进DRAM内存厂，最终选择建设封装工厂。]

三星电子此前探讨了在美国泰勒市建立10nm制程DRAM内存厂的计划。美国提供了优惠条件，三星也表现出浓厚兴趣。然而，由于技术难度和高成本，以及韩国政府的反对，该计划最终被放弃。

技术挑战和成本问题是美国建设先进内存厂的主要障碍。与此同时，三星决定在美国建设一个先进的封装工厂，以满足市场需求。这一决定可能对全球半导体产业产生影响。

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